Die Größe von 2 nm ist beeindruckend klein, aber diese Transistoren verwenden auch ein innovatives „Nanoplatten“-Design, das ihre Energieeffizienz verbessert.
IBM gab letzte Woche bekannt, dass es eine Technologie zur Herstellung von Chips mit 2-nm-Transistoren entwickelt hat. Sie wissen vielleicht, dass kleinere Transistoren im Allgemeinen entweder zur Verbesserung der Leistung oder der Energieeffizienz beitragen. Der aktuelle Stand der Technik liegt typischerweise bei etwa 5 nm oder 7 nm, daher ist es für IBM ein beeindruckender Sprung, dies zu erreichen, auch wenn ein Größenvergleich zwischen Herstellern nicht immer genau ist.
Interessanter als ihre Größe ist, dass diese Chips in einem sogenannten „Nanosheet“-Design gebaut werden. Die meisten modernen Transistoren basieren auf der „FinFET“-Technologie, bei der der vom Strom durchflossene Bereich im Transistor zu einer Finne gestreckt wird.
Gate-Allround-Transistoren verwandeln diese Finne in einen Stapel einzelner Bänder, und das Design sollte in der Lage sein, die Energieeffizienz zu verbessern und es Ingenieuren zu ermöglichen, die elektrischen Eigenschaften verschiedener Teile des Chips einfacher anzupassen.
FinFET ist seit 2011 ein Standard, daher ist die Demonstration eines neuen Transistortyps in der Halbleiterwelt eine ziemlich große Sache.
Quelle: IBM | SamaGame
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